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　　浙江大学石墨力学实验室(LogM)的一个研究小组在《NANO》上发表了一篇论文(“化学气相沉积法生长石墨烯畴跨越铜晶界”) ("Chemical Vapor Deposition Growth of Graphene Domains Across the Cu Grain Boundaries")，浙江大学石墨力学实验室(LogM)的研究小组已经表明，石墨烯单晶的CVD生长与其成核后生长衬底的结晶度明显不相关，并证明了石墨烯单晶在Cu上的晶格取向只取决于成核的Cu晶粒，研究人员采用环境压力(AP)CVD代替传统低压(LP)CVD法，并仔细调整生长参数，成功地在多晶铜表面获得了毫米级和锯齿形边缘结构的六方石墨烯单晶。结果表明，对于生长在Cu上的石墨烯单晶，其晶格取向是由其核与衬底的结合能决定的，这可能是由铜台阶附连成核模式决定的，并且在随后持续传入前体的膨胀过程中保持不变。

　　近日，中国科学院山西煤炭化学研究所研究员李学宽团队与山西大学教授杨恒权团队合作，首次提出了以Pickering乳液为模板，基于表面活性剂乳滴限域空间组装来制备内部结构丰富的碳微球的合成策略，并取得成功。碳微球由于具有良好的化学稳定性、低的流体阻力、便于与反应系统分离等特点，在实际的工业应用中具有很大的优势。尤其是具有多级或多区域内部结构的微球，不仅能显著提高内部的传质，更让发生在其内部的化学过程的时空控制成为可能。因此，合成具有可控内部结构的碳微球受到研究人员的广泛关注。然而迄今为止，现存的方法都无法满足在微米尺度上合成具有内部丰富结构的碳球。